證券時(shí)報(bào)編輯 孫憲超
近年來，遼寧省半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)作為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，已進(jìn)入中國(guó)第一陣營(yíng)，成為中國(guó)半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)的“第三極”。
拓荊科技(68072)是國(guó)內(nèi)專門批量生產(chǎn)的PECVD，是a股市場(chǎng)以半導(dǎo)體裝備為主的遼寧上市公司、ALD、SACVD、HDPCVD、CVD和混合鍵合設(shè)備領(lǐng)先企業(yè)填充超高深寬比溝槽。截至2024年6月底，拓荊科技已承擔(dān)9個(gè)國(guó)家重大專項(xiàng)(項(xiàng)目)，多次被中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)評(píng)為“中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備五強(qiáng)企業(yè)”。
由于拓荊科技一直深入從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備領(lǐng)域，專注于薄膜沉積設(shè)備和混合鍵合設(shè)備的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，公司的產(chǎn)品得到了國(guó)內(nèi)客戶的高度認(rèn)可。”截至2024年6月底，公司已發(fā)貨1940多個(gè)反應(yīng)腔，進(jìn)入70多條生產(chǎn)線。預(yù)計(jì)2024年將發(fā)貨1000多個(gè)反應(yīng)腔，創(chuàng)歷史新高。”拓荊科技董事長(zhǎng)呂光泉說。
聚焦主業(yè)
拓荊科技自2010年成立以來，一直專注于高端半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域。以前后兩位董事長(zhǎng)為核心的國(guó)家海外高級(jí)專家成立了國(guó)際技術(shù)團(tuán)隊(duì)，深入培育薄膜沉積領(lǐng)域，逐步形成了三類半導(dǎo)體薄膜設(shè)備產(chǎn)品系列（PECVD設(shè)備、ALD設(shè)備和溝槽填充系列設(shè)備），隨后擴(kuò)大了混合鍵合設(shè)備。
“公司成立之初，依托國(guó)家重大科技項(xiàng)目，開發(fā)了12英寸PECVD設(shè)備并推向市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)了PECVD設(shè)備的工業(yè)化應(yīng)用。在此過程中，公司掌握了PECVD薄膜沉積設(shè)備的核心技術(shù)，積累了從研發(fā)到工業(yè)化的設(shè)備產(chǎn)品經(jīng)驗(yàn)。”呂光泉介紹。
在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域取得“從0到1”突破后，拓荊科技開始逐步形成“從1到N”的產(chǎn)品布局。拓荊科技先后開發(fā)推出ALD設(shè)備、SACVD設(shè)備、HDPCVD設(shè)備、超高深寬比槽填充CVD設(shè)備，拓寬了公司薄膜設(shè)備的產(chǎn)品類型和工藝覆蓋面。除膜沉積產(chǎn)品外，面對(duì)新的技術(shù)趨勢(shì)和市場(chǎng)需求，拓荊科技還積極布局并成功進(jìn)入高端半導(dǎo)體設(shè)備的前沿技術(shù)領(lǐng)域，推出了晶圓三維集成領(lǐng)域的混合鍵合設(shè)備產(chǎn)品系列。
經(jīng)過十多年的創(chuàng)新發(fā)展，公司PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、超高深寬比溝填充CVD、通過客戶驗(yàn)證，混合鍵合等設(shè)備產(chǎn)品進(jìn)入客戶量產(chǎn)線，不斷擴(kuò)大量產(chǎn)規(guī)模。目前，拓荊科技在沈陽(yáng)、上海、海寧擁有研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地。沈陽(yáng)一廠R&D及生產(chǎn)基地年產(chǎn)能約300-350套，上海臨港一廠R&D及產(chǎn)業(yè)化基地產(chǎn)能約80套，上海臨港二廠R&D及產(chǎn)業(yè)化基地年產(chǎn)能約400套。現(xiàn)階段，拓荊科技正在規(guī)劃沈陽(yáng)二廠產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)，為公司后續(xù)發(fā)展提供產(chǎn)能支撐。上海臨港二廠建設(shè)，預(yù)計(jì)2025年上半年投入使用。
特別值得一提的是，拓荊科技聚焦的半導(dǎo)體膜沉積設(shè)備與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)共同構(gòu)成芯片制造三大主要設(shè)備。截至2024年6月底，拓荊科技已承擔(dān)9個(gè)國(guó)家重大項(xiàng)目（項(xiàng)目），多次被中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)評(píng)為“中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備五大企業(yè)”。
成長(zhǎng)機(jī)遇
近年來，在復(fù)雜多變的國(guó)際形勢(shì)和中國(guó)不斷增加半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策支持的背景下，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，在半導(dǎo)體技術(shù)迭代創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)生態(tài)方面取得了良好的效果。
“隨著數(shù)字化、自動(dòng)化和智能化需求的浪潮，以人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和智能駕駛為代表的新興產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新和發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體芯片的性能和效率提出了更高的要求。“呂光泉表示，面對(duì)新興市場(chǎng)需求的不斷涌現(xiàn)，高端半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)為了滿足市場(chǎng)對(duì)更高性能、更低功耗、更小尺寸集成電路的需求，需要不斷迭代創(chuàng)新，不斷提高產(chǎn)品性能，同時(shí)也產(chǎn)生了巨大的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)空間。
根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)的規(guī)定(SEMI)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá)到1063億美元，預(yù)計(jì)2024年將增長(zhǎng)至1090億美元，并保持增長(zhǎng)趨勢(shì)，預(yù)計(jì)2025年將達(dá)到1280億美元的新高。
作為世界上最大的消費(fèi)電子市場(chǎng)，中國(guó)對(duì)半導(dǎo)體芯片的需求巨大，也為半導(dǎo)體設(shè)備帶來了廣闊的市場(chǎng)空間。特別是在終端市場(chǎng)強(qiáng)勁需求和新興產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的推動(dòng)下，對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的需求呈現(xiàn)出持續(xù)增長(zhǎng)的趨勢(shì)。
據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，2023年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為366億美元，同比增長(zhǎng)29%，連續(xù)第四年成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。
呂光泉表示，在高端半導(dǎo)體設(shè)備中，薄膜沉積設(shè)備、光刻設(shè)備和蝕刻設(shè)備共同構(gòu)成了芯片制造的三大核心設(shè)備，決定了芯片制造技術(shù)的先進(jìn)性。沉積在薄膜沉積設(shè)備中的薄膜是芯片結(jié)構(gòu)中的功能材料層，在芯片制造過程中需求量巨大，直接影響芯片的性能。由于不同芯片結(jié)構(gòu)所需的膜材料種類不同，沉積工藝不同，性能指標(biāo)不同，膜沉積設(shè)備市場(chǎng)巨大。2023年，晶圓制造設(shè)備銷量約占半導(dǎo)體設(shè)備總銷量的90%，達(dá)到約960億美元。薄膜沉積設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模約占晶圓制造設(shè)備市場(chǎng)的22%。因此，2023年全球薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約為211億美元。
呂光泉說：“近年來，中國(guó)在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域發(fā)展迅速，但高端半導(dǎo)體設(shè)備的自給率仍然很低，這也為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備制造商的發(fā)展提供了巨大的機(jī)遇，包括拓荊科技。”。
研發(fā)投入
目前，拓荊科技成熟產(chǎn)品的核心技術(shù)和關(guān)鍵性能指標(biāo)已達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備的先進(jìn)水平，并廣泛應(yīng)用于客戶端，這與拓荊科技不斷加大推進(jìn)產(chǎn)品研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的力度是分不開的。
2021年至2023年，拓荊科技R&D投資分別為2.88億元、3.79億元和5.76億元，R&D投資占營(yíng)業(yè)收入的38.04%、22.21%和21.29%。2024年前三季度，拓荊科技研發(fā)投資4.81億元，同比增長(zhǎng)35.73%。
呂光泉介紹，截至2024年6月30日，公司員工總數(shù)達(dá)到1253人，其中研發(fā)人員506人，占公司員工總數(shù)的40.38%；預(yù)計(jì)2024年將有1500多人。公司將調(diào)動(dòng)員工的積極性和創(chuàng)造力，通過實(shí)施股權(quán)激勵(lì)、績(jī)效獎(jiǎng)金等一系列激勵(lì)措施，促進(jìn)公司研發(fā)技術(shù)團(tuán)隊(duì)的穩(wěn)定。
“公司建立了完善的人才儲(chǔ)備和培訓(xùn)體系，不斷探索新的校企合作機(jī)制，與國(guó)內(nèi)知名大學(xué)建立了校企聯(lián)合培訓(xùn)機(jī)制，推薦優(yōu)秀工程師在職教育，公司作為省級(jí)博士后實(shí)踐基地，與大學(xué)聯(lián)合培訓(xùn)博士后，此外，公司上市后，實(shí)施了兩項(xiàng)股權(quán)激勵(lì)計(jì)劃。”呂光泉說。
拓荊科技憑借完善的人才儲(chǔ)備和培養(yǎng)體系，以及逐年增加的研發(fā)投入，形成了一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)，達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。在薄膜設(shè)備方面，公司核心技術(shù)廣泛應(yīng)用于主要業(yè)務(wù)產(chǎn)品，解決了納米厚薄膜均勻性、薄膜表面顆粒數(shù)量少、成膜快、設(shè)備生產(chǎn)能力穩(wěn)定、高速等關(guān)鍵問題，同時(shí)確保薄膜工藝性能的實(shí)現(xiàn)，提高客戶生產(chǎn)線生產(chǎn)能力，降低客戶生產(chǎn)線生產(chǎn)成本。在混合鍵合設(shè)備方面，公司形成了高速高精度對(duì)準(zhǔn)技術(shù)和實(shí)時(shí)對(duì)準(zhǔn)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了較高的晶圓鍵合精度，提高了設(shè)備的生產(chǎn)能力。
據(jù)了解，截至2024年6月30日，拓荊科技已申請(qǐng)1279項(xiàng)專利(含PCT)、獲得402項(xiàng)專利。其中，拓荊科技今年上半年新增專利74項(xiàng)(含PCT)。、獲得新專利45項(xiàng)。
隨著拓荊科技先進(jìn)產(chǎn)品的推出，公司業(yè)務(wù)規(guī)模逐步擴(kuò)大，產(chǎn)品布局逐步完善，客戶認(rèn)可度不斷提高。產(chǎn)品已成功應(yīng)用于行業(yè)領(lǐng)先的集成電路制造企業(yè)生產(chǎn)線，設(shè)備出貨量大幅增加。
“截至2024年6月底，公司已發(fā)貨1940多個(gè)反應(yīng)腔，進(jìn)入70多條生產(chǎn)線。預(yù)計(jì)2024年公司將發(fā)貨1000多個(gè)反應(yīng)腔，創(chuàng)歷史新高。”呂光泉說。
競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
據(jù)呂光泉介紹，公司實(shí)現(xiàn)了全系列PECVD薄膜材料的覆蓋，并繼續(xù)保持競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，獲得批量訂單和批量驗(yàn)收，形成大規(guī)模生產(chǎn)。此外，公司還開發(fā)并推出了新的PECVD反應(yīng)腔(PX和Supra-D），為滿足芯片技術(shù)日益嚴(yán)格的工藝要求，可以實(shí)現(xiàn)更嚴(yán)格的薄膜工藝指標(biāo)要求。
拓荊科技自主研發(fā)推出PE-ALD和Thermal-ALD設(shè)備系列產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。Thermal-ALD可在同一設(shè)備中沉積Thermal-ALD金屬化合物薄膜和PECVD ADCII薄膜。此外，公司繼續(xù)擴(kuò)大ALD薄膜技術(shù)，開發(fā)并推出了許多新的工藝模型，獲得了原客戶和新客戶的訂單，并繼續(xù)擴(kuò)大薄膜材料的覆蓋范圍。
“公司SACVD設(shè)備繼續(xù)提高產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，推出了等離子體處理優(yōu)化的SAF薄膜工藝應(yīng)用設(shè)備，并將其運(yùn)送到客戶端進(jìn)行驗(yàn)證，進(jìn)展順利。呂光泉表示，拓荊科技HDPCVD設(shè)備已通過客戶驗(yàn)證實(shí)現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用，并繼續(xù)獲得客戶訂單。目前，HDPCVD反應(yīng)腔累計(jì)出貨量已達(dá)70個(gè)。首款自主研發(fā)推出的超高深寬比溝槽填充CVD產(chǎn)品，通過客戶驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了工業(yè)應(yīng)用，獲得了客戶的重復(fù)訂單和不同客戶的訂單，并陸續(xù)發(fā)貨到客戶端進(jìn)行驗(yàn)證。目前，與超高深寬比溝槽填充CVD設(shè)備相關(guān)的反應(yīng)腔已發(fā)貨15多個(gè)。
需要注意的是，隨著“后摩爾時(shí)代”的到來，芯片工藝不斷縮小，接近物理極限。我們不能僅僅依靠縮短工藝極限來實(shí)現(xiàn)最佳的芯片性能和復(fù)雜的芯片結(jié)構(gòu)，而是通過新的芯片設(shè)計(jì)架構(gòu)和芯片堆疊來實(shí)現(xiàn)。因此，對(duì)應(yīng)用于3D集成領(lǐng)域的半導(dǎo)體設(shè)備的新設(shè)備需求應(yīng)運(yùn)而生。
呂光泉表示，應(yīng)用于三維集成領(lǐng)域的設(shè)備是三維集成芯片、Chiplet等芯片堆疊的技術(shù)基礎(chǔ)，也是從2D到3D芯片設(shè)計(jì)架構(gòu)發(fā)展的先進(jìn)邏輯和先進(jìn)存儲(chǔ)的技術(shù)基礎(chǔ)。以混合鍵合設(shè)備為代表的三維集成領(lǐng)域的專用設(shè)備仍處于產(chǎn)品引進(jìn)期，存儲(chǔ)器、圖像傳感器和三維集成領(lǐng)域的行業(yè)已初步實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。隨著芯片技術(shù)的不斷迭代和創(chuàng)新，三維集成領(lǐng)域?qū)⑦M(jìn)入增長(zhǎng)期，應(yīng)用于三維集成領(lǐng)域的半導(dǎo)體設(shè)備將迎來廣闊的市場(chǎng)空間。
拓荊科技自主研發(fā)和拓展了混合鍵合系列設(shè)備產(chǎn)品，為三維集成領(lǐng)域的發(fā)展提供了設(shè)備支持。該設(shè)備產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)晶圓混合鍵和晶圓混合鍵的芯片鍵精度測(cè)量，具有超高精度、超高容量和無盲點(diǎn)測(cè)量特點(diǎn)，同時(shí)兼容晶圓和晶圓混合鍵測(cè)量場(chǎng)景，可解決未來混合鍵技術(shù)迭代客戶測(cè)量精度、容量、兼容性等問題。
“2023年，拓荊科技的晶圓成功通過客戶端驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)了晶圓鍵合設(shè)備和芯片混合鍵合前表面預(yù)處理設(shè)備的工業(yè)應(yīng)用，均為國(guó)內(nèi)第一款，性能優(yōu)異。”呂光泉表示，今年上半年，這兩款產(chǎn)品都獲得了客戶的重復(fù)訂單。此外，公司新推出的鍵合套準(zhǔn)精度測(cè)量產(chǎn)品Crux 300已獲得客戶訂單。
編輯：金杜
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